Физические основы электроники контрольная работа

30.09.2019 DEFAULT 3 Comments

Для полупроводников характерен отрицательный температурный Подробнее. Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома Лекция 1. Ф Изучение характеристик р-п перехода. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 1 балл Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Способы оплаты: И еще более 50 способов оплаты Гарантии возврата денег Как скачивать и покупать в картинках Проверить аттестат. Добавить в корзину. Занесено в корзину. Есть вопросы?

Физические основы электроники контрольная работа 8516

Контрольная работа. Вариант По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора приложение 2включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а построить линию нагрузки; б построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в рассчитать для линейного мало искажающего режима коэффициенты усиления по току KIнапряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ.

Лекция 4 Контактные явления. Получим: R 0 1В I обр 0, А 1, Ом Здесь наглядно можно увидеть самое важное свойство p-n-перехода на прямой ветки он оказывает проходящему току незначительное сопротивление, в то время как на обратной ветки оказываемое сопротивление огромно. Учебно-методическое пособие 7 7 17 7 А.

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Рабочая точка на прямой ветки задается током, а на обратной напряжением.

Согласно значениям, полученными нами в п. Получим: R 0 1В I обр 0, А 1, Ом Здесь наглядно можно увидеть самое важное свойство p-n-перехода на прямой ветки он оказывает проходящему току незначительное сопротивление, в то время как на обратной ветки оказываемое сопротивление огромно.

Общая емкость является суммой этих двух емкостей. Модель p-n-перехода в этом случае выглядит так: Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1.

Время физические основы электроники контрольная работа носителей заряда 2. Дрейфовое движение. Изучение работы. Лекция 1 Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры.

Физические основы электроники контрольная работа 56

Диод Шоттки контакт металл-полупроводник Одиночные атомы имеют отдельные уровни энергии электронов. При объединении их в кристаллическую. Лекция Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается. Увеличение обратного напряжения.

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. Лекция 2 Раздел 1.

7973119

Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. Лекция P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов. Концентрация носителей заряда.

PN - переход. Зонная структура pn перехода

Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия. Лекция 2.

Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда пп электронного полупроводника.

Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение. Содержание работы состоит. Зонная энергетическая диаграмма У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны.

Измерения электропроводности, объемная и поверхностная электропроводность.

  • Схематически это можно изобразить так: Зонная энергетическая диаграмма для равновесного состояния будет выглядеть так: Здесь: W F - уровень Ферми, Wпр уровень проводимости, WB валентный уровень, L ширина области объемного заряда.
  • Какие заряды её образуют?
  • От руб.
  • От руб.
  • Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает.
  • Получим: R 0 1В I обр 0, А 1, Ом Здесь наглядно можно увидеть самое важное свойство p-n-перехода на прямой ветки он оказывает проходящему току незначительное сопротивление, в то время как на обратной ветки оказываемое сопротивление огромно.
  • Время жизни носителей заряда.

Эмиссия: термоэлектронная, автоэлектронная. Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. Что такое область пространственного заряда ОПЗ. Какие заряды её образуют? Вариант 1 1. Для простейшей кубической решетки изобразить плоскость Энергия Ферми определяется как энергия электронов на высшем заполненном уровне n N f L L где n квантовое число наивысшего занятого энергетического уровня.

Полупроводники в микроэлектронике.

[TRANSLIT]

Носители заряда в полупроводнике. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Баумана Московский государственный технический университет имени Н. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления.

Физические основы электроники Введение Nm

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения напряжения смещения приводит к изменению условий переноса заряда. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода.

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на. Опять не то? Контрольн ая раб ота по дисциплине: Физическ ие Основы Электроники. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора приложение 2включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.

Основные носители заряда в базе дырки. Гарантии возврата денег Как скачивать и покупать в картинках Проверить аттестат. Собственный полупроводник Для изготовления полупроводников применяют в основном германий и кремний, а также некоторые соединения галлия, индия и пр. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности.

Для этого: а построить линию нагрузки; б построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в рассчитать для линейного мало искажающего режима коэффициенты уси-ления по току KIнапряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ.

Задача 4 Исходные данные для задачи берем из таблицы П. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора приложение 2 построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока.