Резисторы и конденсаторы реферат

19.10.2019 DEFAULT 3 Comments

Волынский, Е. Закон изменения емкости. Технология полупроводниковых ИС обоих классов основана на легировании полупроводниковой кремниевой пластины поочередно донорными и акцепторными примесями, в результате чего под поверхностью образуются тонкие слои с разным типом проводимости и р—n — переходы на границах слоев. Коэффициент паразитной емкости. Собственные делятся на тепловые обусловленные хаотичным движением электронов. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому: 1. Организация денежного обращения.

Обозначения и типы резисторов. Резисторы, выпускаемые промышленностью.

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Конденсаторы резисторов с проволочными выводами и SMD-резисторов. Дополнительные свойства резисторов. Зависимость сопротивления от температуры. Шум резисторов. Пассивные пленочные элементы схем. Номинальное сопротивление резистора.

Сосредоточенные пленочные резисторы. Проектирование тонкопленочных резисторов. Наиболее применяемые в технике топологии резисторов. Параллельные и последовательные конденсаторы. Собственные делятся на тепловые обусловленные хаотичным движением электронов. Имеют непрерывный широкий спектрих уровень практически не зависит от материалано зависит от температуры. Существуют, не зависимо есть или нет ток.

При прохождении тока возникает пробой он и есть источник шума. Зависят от материала резистора. Уровень токовых шумов существенно больше реферат. Пленка пиролитического углерода толщина сотые, десятые доли мкм. Дешевые и высокостабильные, обладают низким уровнем шумов. Недостаток это низкая стабильность высокоомных резисторов. Достоинством таких резисторов является повышенная термостойкость и низкий уровень шумов.

Недостаток это малая устойчивость к импульсным перегрузкам. резисторы

Резисторы и конденсаторы реферат 1423

Такие резисторы могут быть объемного типа и пленочного типа. Проволочные резисторы. Варистор сопротивление зависит от напряжения и тока резисторы и конденсаторы реферат. Используется для стабилизации и ограничения напряжения для стабилизации напряжения.

Основные параметры:. Терморезисторы характеризуются:. Работают на основе магниторезистивного эффекта, это свойство полупроводникового устройства. Характеризуется зависимостью сопротивления от индукции магнитного поля В. Строят график их зависимости, и рассматривают работу магниторезистора.

Полученное значение R расч может быть положено в основу дальнейшего расчета резистора с учетом случайных отклонений сопротивления, возникающих в процессе изготовления. Коэффициент паразитной емкости. Номинальное, испытательное и пробивное напряжения. Уровень токовых шумов существенно больше тепловых. Сопротивление изоляции и ток утечки.

Это элемент радиоэлектронной аппаратуры, обладающий сосредоточенной электрической емкостью, то есть способностью накапливать электрические заряды. Классификация конденсаторов:. Основные параметры. Номинальная емкость. Все емкости стандартизованы по рядам номинальных ёмкостей:.

Е3; Е6; Е12; Е Допуск на ёмкость.

[TRANSLIT]

Разность между номинальным и фактическим значением. Существует 14 допусков:.

Номинальное рабочее напряжение. Напряжение, при котором конденсатор работает в течение всего срока эксплуатации. Тангенс угла потерь.

2510545

Тангенс угла потерь это величина обратная добротности, поэтому:. Сопротивление изоляции и ток утечки. Температурный коэффициент емкости. Характеризует температурную стабильность емкости, это:. Эти обозначения производятся на корпусе или обозначаются цветом. Слюдяные конденсаторы делятся на 4 группы:. Дисциплина: Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника.

Резистор - как это работает ?

Мы помогаем с поиском информации бесплатно. РЕФ-Мастер - уникальная программа для самостоятельного написания рефератов, курсовых, контрольных и дипломных работ. Основные инструменты, используемые профессиональными рефератными агентствами, резисторы и конденсаторы реферат в распоряжении пользователей реф. Секреты идеального введения курсовой работы а также реферат системный исследования и диплома от профессиональных авторов крупнейших рефератных агентств России.

Узнайте, как правильно сформулировать актуальность темы работы, определить цели и задачи, указать предмет, объект и методы исследования, а также теоретическую, нормативно-правовую и практическую базу Вашей работы. Секреты идеального заключения дипломной и курсовой работы от профессиональных авторов крупнейших рефератных агентств России.

Узнайте, как правильно сформулировать выводы о проделанной работы и составить рекомендации по совершенствованию изучаемого вопроса. В качестве резисторов, т. При использовании в технологическом процессе производства ИМС ионной имплантации примесей резисторы могут создаваться как одновременно с изготовлением областей транзистора, так и независимо.

Структуры резисторов, получаемых путем диффузии примесей, показаны на рисунке 1. Если микросхема должна содержать резисторы с достаточно высоким резисторы и конденсаторы реферат порядка нескольких десятков килоом и болеето изготовляются так называемые сжатые резисторы пинч-резисторы. В варианте пинч-резистора, изображенного на рисунке 1. Соединенные таким образом коллекторный и эмиттерный слои могут играть роль полевых затворов, если на них подавать обратное по отношению к резистивному слою смещение.

Аналогичную конструкцию имеет пинч-резистор, в котором резис-тивным слоем является коллекторная область транзистора Рисунок 1.

  • Собственные делятся на тепловые обусловленные хаотичным движением электронов.
  • Применение охранных колец.
  • У эпитаксиального резистора поперечное сечение по форме существенно отличается от сечений диффузионных резисторов, так как эпитаксиальный резистор формируется разделительной диффузией.
  • Повысить оригинальность данной работы.

Поясним смысл этого параметра, используя известную формулу для расчета электрического сопротивления R :. Формула примет вид. Использование параметра удельного сопротивления р кв предполагает, что толщина d тонкого слоя или пленки фиксирована.

Резисторы и конденсаторы реферат 4920

Для резисторов с номинальными значениями, превышающими Ом, можно использовать топологию, приведенную на рис. Расчетное соотношение для определения сопротивления резистора в этом случае. Резисторам с номинальными значениями более 1 кОм целесообразно придавать форму змейки рис. Изгибы резистора оказывают влияние на его значение, что учитывается используемым для этого случая расчетным соотношением.

Расчет геометрических размеров интегральных полупроводниковых резисторов начинают с определения их ширины. За ширину резистора принимают значений, которое не меньше наибольшего значения одной из следующих величин:. Для составления топологического чертежа определяют вначале промежуточные значения ширины и длины резистора, учитывающие технологические отклонения размеров:. В более узких резисторах боковая диффузия оказывает значительное влияние, поэтому в расчеты необходимо вводить соответствующую поправку.

Все расчеты проводятся по упрощенной схеме с использованием табличных значений из справочника. Выбираем ширину базовой области для резистора:. Таким образом, достигается воспроизводимость параметров резисторов в объеме партии вследствие малого влияния боковой диффузии и погрешностей технологических операций. Сколько стоит написать твою работу? Работа уже оценивается. Ответ придет письмом на почту и смс на телефон. Для уточнения нюансов. Мы не рассылаем рекламу и спам. Нажимая на кнопку, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности.

Спасибо, вам отправлено письмо. Проверьте почту. Если в течение 5 минут не придет письмо, возможно, допущена ошибка в адресе. В таком случае, пожалуйста, повторите заявку. Если в течение 5 минут не придет письмо, пожалуйста, повторите заявку. Отправить на другой номер?

Сообщите промокод во время разговора с менеджером. Промокод можно применить один раз при первом заказе. Тип резисторы и конденсаторы реферат промокода - " дипломная работа ". Резисторы Содержание Введение …………………………………………………………………………. Исходные данные для проектирования ………………………………… Схемотехнические параметры ……. Конструктивно — технологические данные для проектирования. Обзор литературы по теме курсового проекта ………………………… Классификация интегральных микросхем и их сравнение ………… Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем16 3.

Расчёт полупроводниковых резисторов ………………………………… Резисторы и конденсаторы реферат сведения об изготовлении полупроводниковых резисторов …. Порядок расчёта полупроводниковых резисторов …………………….

Герасимова Кн. В последней активные компоненты, особенно транзисторы, наиболее дорогие, и потому оптимизация схемы при прочих равных условиях состоит в уменьшении количества активных компонентов.

Расчёт полупроводниковых резисторов ……………………………… Проектирование топологии ИМС …………………………………………. Выводы о проделанной работе …………………………………………… Резисторы и конденсаторы реферат мере увеличения степени интеграции этот выигрыш возрастает, Стоимость ИС при прочих равных условиях близка к стоимости одного транзистора.

Исходные данные для проектирования. Схемотехнические параметры. Таблица 1 Конструктивно-технологические данные и ограничения. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому: 1. Суммарная площадь изолирующих p-n-переходов должна быть минимальной, так как их емкость является паразитной. Минимальные размеры изолированной области определяются геометрическими размерами находящихся в ней элементов и зазорами, которые необходимо выдерживать между краем изолированной области и элементами и между самими элементами, размещенными в одной изолированной области; 2.

При этом суммарное обратное напряжение, приложенное к изолирующему переходу не должно превышать напряжения пробоя; 3. Обычно такой точкой является контактная площадка ИМС, на которую подается напряжение смещения от коллекторного источника питания; 4.

Сколько стоит написать твою работу?

Резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев следует располагать в отдельных изолированных областях; 5. Транзисторы типа n-p-n, коллекторы которых подсоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами; 6.

Транзисторы типа n-p-n, которые включены по схеме с общим коллектором, можно располагать в одной изолированной области; 7. Для уменьшения паразитной ёмкости между контактными площадками и подложкой, а резисторы и конденсаторы реферат для защиты от короткого замыкания в случае нарушения целостности пленки окисла под ними при приварке проволочных выводов под каждой контактной площадкой создают изолированную область, за исключением контактных площадок с наиболее отрицательных потенциалом; 9.

Если в качестве диодов используются переходы база-коллектор, то для каждого диода требуется изолированная область, так как каждый катод коллекторная область n-типа должен иметь отдельный вывод; Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общим с другой изолированной областью; Для диффузионных перемычек всегда требуются отдельные и изолированные области.

Обзор литературы по теме курсового проекта.